М.: МИСИС, 1999. — 400 с. — ISBN 5-87623-020-0.
Изложены физические основы элементной базы современной полупроводниковой оптоэлектроники, параметры приборов, устройств и систем; методы расчета и контроля, особенности приборов и устройств (светодиодов, лазеров, фотоприёмников, солнечных элементов и ВОЛС).
Предисловие.
Введение.
Фундаментальные физические основы полупроводниковых источников излучения.
Рекомбинационное излучение полупроводников.
Самопоглощение люминесценции.
Внутренний квантовый выход рекомбинационного излучения полупроводниковых материалов.
Оптическое усиление света и генерация лазерного излучения в полупроводниках.
Возбуждение спонтанной и лазерной люминесценции в полупроводниках и полупроводниковых структурах.
Полупроводниковые источники некогерентного излучения.
Полупроводниковые лазеры.
Фотоэлектронные полупроводниковые приемники. Классификация и система параметров.
Фоторезистор.
Фотовольтаические приемники излучения.
Фотоэлектрические преобразователи энергии.
Фототранзисторы. Принцип действия. Основные параметры и характеристики.
Многоэлементные полупроводниковые знаковые индикаторы.
Задачи.
Рекомендательный библиографический список.