М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1990 (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — 216 с. — ISBN 5-02-014023-6.
Рассмотрены процессы образования дефектов в кристаллическом кремнии. Дан анализ микроструктуры дефектов, приведены сведения об энергетическом спектре локальных электронных состояний, связанных с различными типами дефектов объеме и на поверхности кристаллов кремния. Рассказано о процессах миграции дефектов, их взаимодействиях друг с другом и с примесями.
Для физиков и инженеров, занятых фундаментальными исследованиями и решением практических задач современной ’’кремниевой” микроэлектроники, а также для студентов старших курсов соответствующих специальностей.