Учебное пособие для втузов. — В 9 книгах. — Под редакцией Л.А. Коледова. — Москва: Высшая школа, 1987. — 168 с.: ил.
В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов.
Предисловие редактора.
Предисловие к книге 1.
Введение.Основы физики полупроводников.Электроны в периодическом потенциальном поле.
Энергетические зонные диаграммы и носители заряда в полупроводниках.
Статистика носителей заряда в полупроводниках.
Кинетические явления в полупроводниках.Электропроводность полупроводников.
Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
Движение носителей заряда в полупроводниках.
Поверхностные явления в полупроводниках.
Контактные явления в полупроводниках.
Основы физики полупроводниковых приборов.Выпрямительные диоды.
Стабилитроны.
Туннельные диоды.
Лавинно-пролетные диоды.
Диоды Шотки.
Варикапы.
Биполярные транзисторы.
Транзисторы с барьером Шотки.
МДП-транзисторы.
Приборы с зарядовой связью.
Полевые транзисторы.
Принципы построения пассивных элементов полу проводниковой электроники.
Основы физики пленок и принципы функционирования пленочных элементов.Дрейфовые токи. Закон Ома.
Токи термоэлектронной эмиссии.
Эффект Шотки.
Токи туннелирования.
Токи, ограниченные объемным зарядом.
Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки.
Размерные эффекты в тонких пленках.
Пленочные активные элементы.
Заключение.
Список литературы.