Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

М.: Наука, 1981. — 368 с.В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных эффектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно-контролируемых реакций в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.Предисловие.
Принятые сокращения.
Представления о простейших дефектах.
Точечные дефекты.
Методы расчета электронной структуры дефектов в кристаллах.
Элементарный акт образования п миграции дефектов.
Дефектообразование (общие вопросы).
Допороговое образование дефектов.
Термофлуктуационное смещение атомов.
Теоретические модели высокотемпературной диффузии.
Квантовые эффекты в диффузии атомов.
Понятие о низкотемпературной стимулированной диффузии (НСД).
Современные представления об образовании и миграции дефектов в кристаллах.
Новые конфигурации дефектов в алмазной решетке.
Эксперименты по низкотемпературной миграции и фотостимулированным процессам.
Радиационно-стимулированная диффузия.
Допороговое дефектообразование в атомарных полупроводниках.
Допороговые эффекты в Ge и Si.
Общие закономерности допорогового эффекта.
Взаимодействие радиационных дефектов с примесями.
Допороговое дефектообразование в бинарных полупроводниках.
Образование и миграция радиационных дефектов в CdS.
Радиационные изменения в CdS в процессе возбуждения когерентного излучения.
Допороговые эффекты в InSb и других бинарных материалах.
Фотостимулированные процессы образования и преобразования дефектов в CdS.
Допороговые эффекты в облучаемых ионами полупроводниках.
Влияние излучения на диффузию в полупроводниках.
Влияние радиационных дефектов на термическую диффузию.
Экспериментальные проявления стимулированной излучением диффузии атомов.
Низкотемпературная миграция атомов в Si.
Влияние электронных возбуждений на низкотемпературную миграцию атомов.
Низкотемпературная миграция при воздействии ионов малой и средней энергии.
Особенности низкотемпературной миграции атомов.
Активационные процессы при ионной имплантации.
Физические основы ионно-лучевого легирования полупроводников.
Дефекты структуры в полупроводниках, подвергнутых ионной бомбардировке, и явление аморфизации.
Синтез полупроводниковых соединений и структур с использованием ускоренных ионов.
Электрические свойства ионно-легированных полупроводников.
Лазерный и электронно-лучевой отжиг имплантированных слоев в полупроводниках.
Образование и миграция атомных дефектов в некоторых прикладных задачах.
Деградация полупроводниковых излучателей оптического диапазона.
Влияние ударной волны на полупроводниковые материалы.
Микромеханизмы естественного старения полупроводниковых материалов и приборов.
Низкотемпературная стимулированная адгезия.
Вопросы радиационной стойкости при воздействии низкоэнергетических излучений.
Заключение.
Литература.
Дополнение при корректуре.