Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках

Москва: Наука, 1985. — 320 с.Посвящена систематическому подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории и термомагнитных эффектов.
Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны.
Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Книга будет полезна для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.Предисловие.

Энергетический спектр носителей тока в полупроводниках.
Движение электрона в идеальной кристаллической решетке.
Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна.
Структура краев энергетических зон некоторых полупроводников. основные модели зон.Статистика носителей заряда в полупроводниках.
Концентрация электронов в зоне проводимости и уровень Ферми. Зависимость эффективной массы от концентрации.
Статистика носителей заряда в собственных полупроводниках и полуметаллах.
Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках.Решение кинетического уравнения. Механизмы рассеяния.
Феноменологическое определение кинетических коэффициентов и их взаимная связь.
Кинетическое уравнение и условия его применимости.
Решение кинетического уравнения для произвольной сферически-симметричной зоны в приближении времени релаксации.
Рассеяние носителей заряда в полупроводниках с произвольной изотропной зоной. Примесное рассеяние.
Рассеяние носителей заряда на фононах в полупроводниках с произвольной изотропной зоной.
Теория рассеяния носителей заряда в полупроводниках с учетом блоховских волновых функций.Электронные явления переноса в полупроводниках с изотропной зоной.
Общие выражения основных кинетических коэффициентов.
Явления переноса в отсутствие магнитного поля.
Явления переноса в магнитном поле.
Явления переноса в полупроводниках типа p-Ge.
Увлечение носителей заряда фононами в полупроводниках с произвольной изотропной зоной.Явления переноса в полупроводниках с анизотропной непараболической зоной. Анизотропное рассеяние.
Решение кинетического уравнения для анизотропной зоны в приближении тензора времени релаксации t.
Тензоры проводимости в полупроводниках с анизотропным законом дисперсии.
Основные кинетические эффекты в кубических полупроводниках с изотропным законом дисперсии.Явления переноса в квантующих магнитных полях.
Энергетический спектр и статистика носителей заряда в квантующих магнитных полях.
Гальваномагнитные явления в квантующем магнитном поле.
Термомагнитные явления в поперечном квантующем магнитном поле.Электронные явления переноса в полупроводниковых.
Решение кинетического уравнения в пленках с учетом граничных условий.
Явления переноса в пленках с произвольным изотропным.
Квантовые размерные эффекты.Список литературы.