Антонетти П. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов

Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. под ред. Р.А.Суриса. — М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.: ил.Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем (ИС) и электрических характеристик их основных элементов - МОП-транзисторов. Рассмотрены модели диффузии, ионной имплантации, окисления, отжига, литографии, осаждения, травления и модели, описывающие функционирование МОП-транзисторов. Подробно обсуждены области применимости этих моделей для анализа работы приборов в различных режимах. Приведены основные алгоритмы, используемые при моделировании технологических процессов и приборов на основе МОП-структур. Показано, как эти алгоритмы реализуются в существующих программах одно- и двумерного математического моделирования, и описаны структуры программ. Продемонстрировано, каким образом происходит стыковка программ моделирования технологических процессов и программ расчета характеристик приборов. Большое внимание уделено обсуждению специфических двумерных эффектов, приобретающих все большее значение в связи с уменьшением характерных размеров элементов ИС. При этом речь идет как об особенностях физических моделей, которые важны для учета двумерных эффектов, так и об особенностях их численного анализа.
Книга адресована прежде всего специалистам в области математического моделирования в микроэлектронике. Кроме того, она будет полезна разработчикам кремниевых ИС, специалистам по технологии их производства, а также аспирантам и студентам соответствующих специальностей.Предисловие к русскому изданию.
Предисловие.
Диффузия в кремнии.
Термическое окисление кремния: кинетика, электрические заряды, физические модели и взаимодействие с другими технологическими процессами изготовления.
Применение хлорированных окислов и методов внутреннего геттерирования в технологии СБИС.
Ионная имплантация.
Пучковый отжиг имплантированного кремния.
Контроль материалов.
Одномерное моделирование технологических процессов изготовления ИС.
Моделирование поликристаллических кремниевых структур для процессов производства интегральных схем.
Двумерное моделирование технологических процессов — программа SUPRA.
Численное моделирование процессов перераспределения примеси вблизи края маски.
Система моделировании диффузионных процессов методом конечных элементов.
Оптическая литография и литография в глубокой УФ области.
Моделирование топографии.
Анализ не пленарных приборов.
Двумерное моделирование МОП-транзисторов.
Анализ приборов с помощью метода конечных элементов.
Заключение.
Список литературы.
Список работ, переведенных на русский язык, и работ советских авторов.