Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем

Перевод с англ. Е.3. Мазель, Л.С. Ходош. — М.: Мир, 1989. — 630 с.Монография известных американских специалистов, которые в популярной форме излагают основы физики, рассматривают технологии формирования кремниевых ИС. В книге рассмотрены также принципы их действия, поднимаются проблемы расчета, создания конструкции, приведены прочие математические модели, которые применяют в целях проектирования самих элементов и цифровых (аналоговых) ИС на их базисе. В книге сделан акцент на математических моделях элементов ИС, которые ориентированы на системы автоматизированного проектирования. Описаны некоторые специфических для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры. Целевая аудитория - специалисты по проектированию полупроводниковых ИС, инженеры-технологи полупроводникового производства. Книгу рекомендуют использовать и учащимся – студентам, аспирантам соответствующих специальностей.От переводчиков.
Предисловие к первому изданию.
Предисловие ко второму изданию.
Полупроводники.
Технология изготовления кремниевых приборов.
Контакты металл — полупроводник.
pn-переходы.
Токи в pn-переходах.
Биполярные транзисторы. Основные свойства и характеристики.
Биполярные транзисторы. Ограничения и модели.
Свойства структуры металл — окисел — полупроводник.
МОП-транзисторы. Основы теории и модели.
МОП-транзисторы. Ограничения и перспективы развития.
Заключение. Литература. Задачи. (К каждой главе).
Ответы к некоторым задачам.
Приложение.
Список некоторых обозначений.
Предметный указатель.