Миллер Д. (ред.). Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов

Коллектив авторов. — Перевод с английского М.С. Обрехта под редакцией Г.В. Гадияка. — Москва: Мир, 1989. — 280 с.В книге рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделирования различных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой моделью в ряде работ для анализа характеристик приборов используются гидродинамическая модель и метод частиц. Основное внимание уделяется кремниевым приборам, но в ряде работ рассматриваются свойства, характерные для приборов на основе соединений А₃В₅. Кратко затрагиваются вопросы схемотехнического анализа, моделирования литографии, травления, осаждения, ионной имплантации, воздействия светового и ионизирующего излучений.Предисловие к русскому изданию.
Проблемы моделирования полупроводниковых приборов на основе соединений А₃В₅.
Последние разработки фирмы NEC в области моделирования приборов и процессов.
Роль физики в моделировании процессов и приборов.
Дискретизация уравнений, описывающих полупроводниковые приборы.
К вопросу о функциях тока.
Универсальная программа HFIELDS для двумерного анализа полупроводниковых приборов.
Модели и алгоритмы для моделирования рельефа поверхности полупроводниковой пластины.
Методы и проблемы численного моделирования МОП-приборов.
Программа трехмерного моделирования МОП-прибора.
Тетраэдральные элементы и метод Гуммеля и Шарфеттера.
Применение метода частиц для моделирования полупроводниковых приборов.
Численное моделирование явлений переноса в полупроводниковых приборах на основе соединений А₃В₅.
Применение метода частиц для моделирования субмикрониых приборов с гетеропереходами.
Разработка и применение быстродействующей программы MOS2C для двумерного моделирования нестационарных явлений в полупроводниковых приборах.
Моделирование переноса горячих носителей в МОП-транзисторах.
Эффективная реализация метода конечных элементов для двумерного моделирования окисления и перераспределения примеси в кремнии.
Двумерное моделирование диффузии при окислении с помощью метода конечных элементов.
Программа двумерного моделирования лавинного пробоя в полупроводниковых приборах.
Перенос горячих электронов. Новое выражение для плотности тока.
Пространственная и временная сетки для программ моделирования приборов и технологических процессов.
Численный анализ электрофизических характеристик полупроводникового прибора с учетом эффекта переноса тепла.
Некоторые аналитические результаты исследования локального окисления кремния.
Уточненная емкостная модель МОП-транзистора для программы SPICE2.
Дву- и трехмерное моделирование переходного процесса сбора заряда в кремниевых диодах.
Универсальная программа BIUNAP для двумерного моделирования приборов с двумя типами носителей.
Новая программа одномерного моделирования технологических процессов изготовления интегральных схем OLIMP.
Ионная имплантация в кристаллическое вещество.
Горячие носители. Решение уравнений квазигидродинамической модели.
Трехмерное моделирование сопротивлений элементов БИС.
Моделирование субмикронного МОП-транзистора методом частиц.
Переход к безразмерным переменным при моделировании полупроводниковых приборов.
Модификация уравнения диффузии для структур малых размеров.
Моделирование всплеска скорости с помощью нелокальной модели переноса горячих носителей.
Моделирование гетероперехода с учетом статистики Ферми—Дирака: система уравнений и численные методы решения стационарных задач.
Моделирование переходных характеристик гетероструктур.
Список литературы.
Список работ, переведенных на русский язык.