Дорфман В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектронике

М.: Металлургия, 1978. — 272 с.Изложены физико-химические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Проанализировано влияние размерных эффектов в твердом теле и в процессах его формирования на развитие микроэлектроники, обсуждены предельные возможности миниатюризации и интеграции полупроводниковых приборов. Рассмотрены механизмы неравновесных процессов формирования структуры приборов. Систематизированы известные селективные физико-химические явления, используемые в технологии, особое внимание уделено принципам получения согласованных цепей технологических операций и проблеме полного устранения механических совмещений шаблонов в процессах производства интегральных схем.
Книга предназначена для инженеров и научных работников, занимающихся исследованиями полупроводниковых материалов и разработкой полупроводниковых приборов. Может быть полезна аспирантам и студентам старших курсов, специализирующимся по вопросам материаловедения полупроводников.Введение
Основные процессы и материалы современной технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем
Общая структура технологии.
Эволюция и виды технологий.
Подготовка подложек.
Методы формирования топологических рисунков и переноса их на полупроводниковую пластину.
Основные материалы, применяемые при формировании структуры полупроводниковых микроприборов.
Элементарные полупроводники и основные полупроводниковые соединения.
Диэлектрические пленки и методы их формирования.
Металлы контактных систем и внутренних соединений.
Легирование и легирующие примеси.
Технологические дефекты полупроводниковых приборов, принципы контроля и автоматизации технологических процессов.
Влияние геометрических размеров на свойства твердого тела и процессы его получения
Свойства микрокристаллов и зародышей кристаллизации.
Основные этапы образования пленок и области их применения.
Размерные эффекты в структуре полупроводниковых приборов.
Ограничения миниатюризации, связанные с формированием топологии приборов.
Ограничения миниатюризации, связанные с технологическими операциями формирования структуры приборов.
Физические ограничения миниатюризации и интеграции, связанные с функциональными свойствами приборов.
Основные механизмы деградации и отказов полупроводниковых микроприборов.
Механизмы неравновесных процессов формирования структуры приборов
Классификация теоретических моделей кристаллизации.
Квазиравновесные и кинетические модели.
Уточненная кинетико-статистическая модель образования пленок из молекулярных пучков.
Нефольмеровский механизм роста пленок с участием химических реакций.
Современное состояние исследований механизма элементарных процессов роста пленок.
Обзор современных представлений о механизме диффузии в полупроводниках.
Принцип селективности и согласованные цепи технологических операции
Основные критерии оценки локальных операций.
Методы формирования исходного топологического рисунка на подложке.
Маскирование.
Локально активируемые операции.
Топологические преобразования и формирование дополнительных элементов структуры ИС с помощью селективных операций.
Финишные операции формирования ИС. Физические методы контроля дефектов.
Композиции и цепи локальных операций.
Принципиальные условия полного устранения механических совмещений.
Заключение
Список литературы
Предметный указатель