Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника

Перевод с англ. А.А.Гипиуса, А.Н.Ковалева под ред. С.А.Медведева. — М.: Мир, 1976. — 432 с.В последние годы на стыке радиоэлектроники и физики полупроводников возникла новая область науки и техники — полупроводниковая оптоэлектроника, находящая широкие применения от фотоприемников до полупроводниковых лазеров. Настоящая книга — первое учебно-монографическое пособие по полупроводниковой оптоэлектронике. Один из авторов, Т. Мосс, хорошо известен советским специалистам, в частности по переводу его монографии «Оптические свойства полупроводников» (ИЛ 1961), материал которой частично использован в общетеоретических разделах данной книги. В книге рассмотрены взаимодействие света с полупроводниками, физические принципы работы приборов оптоэлектроники и методики расчета их характеристик материалы, используемые в оптоэлектронике. Книга интересна как ученым, занимающимся физикой твердого тела и физикой полупроводников, так и инженерам, исследователям, технологам и разработчикам оптоэлектронных устройств ламп, преобразователей, лазеров. Она может быть с успехом использована и как учебное пособие.Предисловие редактора русского издания.
Предисловие авторов.
Система единиц.
Оптические константы твердого тела.
Теория дисперсии.
Процессы поглощения в полупроводниках.
Магнитооптические эффекты.
Фотоэлектрические явления.
Полупроводниковые фотоприемники.
Эмиссия излучения из полупроводников.
Полупроводниковые лазеры и некогерентные источники света (светодиоды).
Нелинейные оптические эффекты.
Полупроводники группы IV.
Соединения А^IIIB^V/.
Халькогениды свинца, олова и кадмий-ртути.
Приложение.
Литература.
Авторский указатель.
Предметный указатель.
Указатель соединений.