Киреев В.Ю., Столяров А.А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Монография. - М.: Техносфера, 2006. - 200 с.В монографии проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ, CVD), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микро- и наноструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок (Si, SiGe, SiO2, Si3N4, HfO2, ZrO2, TaN и т. д. ) и металлов (W, Cu, Ta и т. д. ).