Асессоров В.В., Быкадорова Г.В., Ткачев А.Ю. Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD

Учебное пособие. — Воронеж, 2007. — 27 с.Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а также практикующим инженерам, желающим освоить азы приборно-технологического моделирования.Основы теории МДП транзисторов
Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD
Проект в программе-оболочке GENESIS.
Алгоритм моделирования технологии создания п-МОП транзистора.
Создание физико-технологической модели n-МОП транзистора с помощью программы DIOS.
Оптимизация расчетной сетки с помощью программы MDRAW.
Расчет передаточной характеристики, определение порогового напряжения и крутизны характеристики n-МОП транзистора.
Расчет семейства выходных характеристик, определение сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения.
Определение пробивного напряжения n-МОП транзистора.
Задания и вопросы
Литература