Л.: Энергоатомиздат, 1985. — 80 с.: ил. — (Библиотека по автоматике. Выпуск 651).
Приведены сведения о принципе действия, схемотехнике и особенностях использования полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ), допускающих запись информации электрическим способом.
Рассмотрены элементы и устройства, основанные на принципе пережигания плавких перемычек, хранения заряда в двухслойной структуре МНОП-транзистора и в изолированном затворе лавинно-инжекциоиного МОП-транзистора, на применении аморфных полупроводников.
Приведены характеристики промышленных образцов схем памяти и программаторов.
Для инженеров и техников, занимающихся вычислительной техникой и радиоэлектроникой. Может быть полезна студентам вузов.
Предисловие.
Электрически программируемые ПЗУ в вычислительной технике.Классификация.
ЭППЗУ в ЭВМ и микропроцессорных системах.
Однократно программируемые ПЗУ.Принцип действия ППЗУ.
Микросхемы и блоки ППЗУ.
Репрограммируемые ПЗУ на основе МОП-структур.Принцип действия лавинно-инжекционного МОП с плавающим затвором.
Микросхемы и блоки РПЗУ с УФ-стиранием.
Микросхемы РПЗУ с электрическим стиранием.
Репрограммируемые ПЗУ на основе МНОП-структур.Принцип действия МНОП ЗУ.
Микросхемы и блоки МНОП РПЗУ.
Репрограммируемые ПЗУ на основе аморфных полупроводников.Физическая основа приборов на аморфных полупроводниках.
Микросхемы и блоки памяти.
Программирование ЭППЗУ.Программирование БИС.
Программирование блоков РПЗУ.
Стирание информации УФ-облучением.
Перспективы разработки и применения ЭППЗУ.Список литературы.