СПб.: СПбГУ ИТМО, 2009. — 70 с.
Дан обзор общих свойств диссипативных оптических солитонов, перспективных для обработки информации в системах с повышенными требованиями к точности и надежности операций, и схем их формирования. Систематически изложена теория пространственного гистерезиса и пространственных структур света - волн переключения и диссипативных солитонов - в тонком слое полупроводника, возбуждаемом внешним излучением. Включены задания для самостоятельного решения. Пособие предназначено для бакалавров и магистров обучающихся по направлению "Фотоника и оптоинформатика", а также для студентов и аспирантов оптических и информационных специальностей смежных направлений.
Введение в физику диссипативных оптических солитонов.
Свойства оптических солитонов.
Схемы формирования диссипативных оптических солитонов.
Историческая справка и план дальнейшего изложения.
Литература к главе.
Некогерентное возбуждение слоя полупроводника.
Модель схемы и приближение среднего поля.
Поперечно-однородные распределения.
Стационарные распределения в одномерной схеме.
Устойчивость стационарных распределений.
Волны переключения.
Волны переключения и механическая аналогия.
Устойчивые и неустойчивые волны переключения.
Пространственное переключение.
Эффекты неоднородностей. Пространственный гистерезис.
Асимптотический анализ.
Пространственная бистабильность.
Пространственный гистерезис.
Поперечно-двумерные структуры.
Другие факторы.
Литература к главе.
Когерентное возбуждение слоя полупроводника.
Оптические характеристики конденсата Бозе-Эйнштейна.
Бистабильность и диссипативные солитоны.
Литература к главе.