Каменская А.В., Дикарева Р.П. Технологические процессы в микроэлектронике

Новосибирск: НГТУ, 2005. — 44 с.Учебное пособие составлено на основании Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования. В по-собии описываются технологические процессы получения и очистки кристаллов полупроводников, методы получения окисных слоев кремния. Включено также описание лабораторных работ «Кристаллизационные методы очистки полупроводников» и «Анодное окисление кремния».
Пособие адресовано студентам, обучающимся по специальности.
«Микроэлектроника и твердотельная электроника».Кристаллизационные методы очистки полупроводников.
Методы выращивания кристаллов полупроводников.
Направленная кристаллизация в тигле или лодочке.
Выращивание кристаллов методами зонной плавки.
Выращивание кристаллов из растворов.
Метод зонной плавки с градиентом температуры.
Принцип очистки кристаллизацией.
Коэффициент распределения.
Распределение примеси в методе направленной кристаллизации.
Лабораторная работа № 1.
Контрольные вопросы.
Литература.
Анодное окисление полупроводников.
Методы получения окисных пленок кремния.
Окисление при высоком давлении.
Осаждение из газовой фазы.
Осаждение SiO2 из пленкообразующих растворов.
Испарение в вакууме.
Анодное окисление.
Цветовой метод контроля толщины.
Строение границы раздела полупроводник-электролит. Поверхностные свойства полупроводника.
Заряженные слои на границе полупроводник-электролит.
Анодные реакции на кремниевом электроде.
Анодное окисление при постоянном токе.
Анодное окисление при постоянном напряжении.
Лабораторная работа № 2.
Контрольные вопросы.
Литература.