Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

  • Файл формата djvu
  • размером 3,81 МБ
  • Добавлен пользователем , дата добавления неизвестна
  • Описание отредактировано
Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов
Ленинград: Энергия, 1968. — 240 с.
В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход.
Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремниевых диодов и транзисторов, так и полупроводниковых интегральных схем, посвящена вторая часть книги. Здесь основное внимание уделено фотолитографии и получению пассивирующих слоев двуокиси кремния на кремнии, а также рассмотрены принципы построения интегральных схем на основе полевых транзисторов типа металл-окисел-полупроводник.
Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся Конструированием и производством полупроводниковых приборов и интегральных схем. Она будет полезна также студентам высших учебных заведений, специализирующихся в области полупроводниковой электроники.
Предисловие.
Технология диодов и транзисторов.
Германий и кремний.
Ориентация монокристаллических полупроводниковых слитков.
Механическая обработка полупроводниковых монокристаллов.
Химическая обработка германия, кремния и соединений AIIIBV.
Изготовление электронно-дырочных переходов методом сплавления.
Изготовление электронно-дырочных переходов методом диффузии.
Изготовление электронно-дырочных переходов методом электрохимического травления и осаждения.
Технология интегральных схем.
Общие вопросы конструкции и технологии полупроводниковых
Получение окисных пленок на кремнии.
Фотолитография.
Вопросы диффузии примесей при изготовлении планарных кремниевых приборов и интегральных схем.
Монтаж, конструктивные особенности и параметры интегральных схем.
Интегральные полупроводниковые схемы на основе транзисторов типа металл - окисел - полупроводник.
Основные тенденции развития полупроводниковых интегральных схем.
Литература.
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация