Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В. Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии

Электронное методическое пособие. - Нижний Новгород, ННГУ, 2010. - 17 с.В настоящее время на основе полупроводниковых гетероструктур создаются разного рода низкоразмерные системы (квантовые ямы, нити и точки), в которых наряду с изменением физических свойств объектов возникают новые физические эффекты, связанные с пространственным ограничением движения носителей заряда. На основе гетероструктур были созданы и теперь уже являются коммерчески доступными такие новые приборы как быстродействующие гетеробиполярные транзисторы (HBT) и полевые транзисторы на основе селективно легированных структур (MODFET) c улучшенными шумовыми характеристиками, резонансно-туннельные диоды повышенной мощности и лучшими усиливающими характеристиками, а также гетеролазеры с низкими пороговыми токами и большими значениями коэффициента усиления и высокой температурной стабильностью. Работа направлена на ознакомление на примере гетеропары германий — кремний с физическими и технологическими основами метода молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наноструктур.