Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы

М.: Мир, 1986. — 438 с.Полное описание процесса изготовления, а также основных соединений используемых в солнечных элементахАнализ свойств электронно-дырочных переходов и исследование характеристик полупроводниковых материалов
Анализ свойств переходов
Исследование характеристик материалов
Методы осаждения тонких пленок
Физическое осаждение из паровой фазы
Методы химического осаждения
Методы осаждения из жидкой фазы
Другие методы осаждения
Физические свойства тонких пленок, применяемых в солнечных элементах
Полупроводниковые пленки
Прозрачные проводящие оксиды
Кинетические явления в металлических пленках
Диэлектрические пленки
Солнечные элементы на основе сульфида меди
Методы изготовления
Физические модели
Фотоэлектрические характеристики
Влияние различных способов обработки и свойств используемых материалов на характеристики элементов
Энергетическая зонная диаграмма и механизмы потерь
Тонкопленочные поликристаллические кремниевые солнечные элементы
Современное состояние разработок массивных кремниевых солнечных элементов
Технология изготовления
Эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения
Направения дальнейших исследований
Солнечные элементы на основе аморфного кремния
Кинетические явления в аморфных материалах
Осаждение гидрогенизированного аморфного кремния
Свойства пленок гидрогенизированного аморфного кремния
Солнечные элементы на основе гидрогенизированного аморфного кремния
Новые разработки
Направления дальнейших исследований
Новые типы солнечных элементов
Арсенид галлия
Теллурид кадмия
Фосфид цинка
Фосфид индия
Селенид меди и индия
Оксид меди
Органические полупроводники
Направления дальнейших исследований
Новые направления в разработке высокоэффективных солнечных элементов
Эффекты, вызываемые высоким уровнем интенсивности излучения
Новые конструкции обычных солнечных элементов
Каскадные солнечные элементы со сверхвысоким КПД