Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Зыков Д.Д. Системы автоматизированного моделирования и проектирования технологических процессов и технологических маршрутов производства СВЧ МИС, оптимизация производства (основы САПР Synopsys TCAD)

  • Файл формата pdf
  • размером 1,49 МБ
  • Добавлен пользователем
  • Описание отредактировано
Зыков Д.Д. Системы автоматизированного моделирования и проектирования технологических процессов и технологических маршрутов производства СВЧ МИС, оптимизация производства (основы САПР Synopsys TCAD)
Учебное пособие. - Томск, ТУСУР, 2010. - 76 с.
Для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов.
Предисловие.
Приборно-технологическое моделирование (TCAD).
Описание Synopsys TCAD.
Виртуальное производство с использованием Synopsys TCAD.
Возможности Synopsys TCAD для физического моделирования полупроводниковых светодиодов.
Работа с модулями Synopsys TCAD.
Примеры использования Synopsys TCAD.
Список литературы.
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация

Смотри также

Подробнее

Doering R., Nishi Y. (Eds.) Handbook of semiconductor manufactruring technology

  • pdf
Boca Raton, London, New York: CRC Press (Taylor & Francis Group), 2008. - 1720 p. 2nd edition. Retaining the comprehensive and in-depth approach that cemented the bestselling first edition's place as a standard reference in the field, the Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, Second Edition features new and updated material that keeps it at the vanguard of today's...
  • 74,09 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • описание отредактировано
Подробнее

Асессоров В.В., Быкадорова Г.В., Ткачев А.Ю. Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD

  • pdf
Учебное пособие. — Воронеж, 2007. — 27 с. Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а также практикующим инженерам, желающим освоить азы приборно-технологического моделирования. Основы теории МДП транзисторов Моделирование n -МОП транзистора в ISE TCAD Проект в программе-оболочке GENESIS. Алгоритм моделирования технологии...
  • 647,49 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • описание отредактировано
Подробнее

Калинин С.В., Черкаев А.С. и др. Моделирование нанотранзисторов в TCAD Sentaurus

  • pdf
Методическое руководство к лабораторному практикуму. - Новосибирск, НГТУ, 2010. - 104 с. Курс «Математическое моделирование и проектирование наносистем» читается в соответствии с учебным планом по направлению 210600 – «Нанотехнология» в 8 семестре. Методическое руководство содержит описания четырех лабораторных работ по курсу. Изложенные в руководстве материалы будут полезны...
  • 2,47 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Подробнее

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

  • pdf
М.: Физматлит, 2008. — 488 с. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов...
  • 39,39 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • описание отредактировано
Подробнее

Матюхин С.И., Ставцев А.В. Приборно-технологическое моделирование тиристоров

  • pdf
Госуниверситет – УНПК, ЗАО Протон-Электротекс. 2011. — 12 слайдов. Цель моделирования выяснить, как отразится изменение характерных размеров управляющей области силового тиристора на его статических и коммутационных характеристиках. Инструментарий пакет программ приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD фирмы SYNOPSYS. Проблемы: моделирование регенеративного...
  • 271,21 КБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Подробнее

Распопов В.Я. Микромеханические приборы

  • djvu
Учебное пособие. - М.: Машиностроение, 2007. - 400 с.: ил. Изложены терминология, классификация, конструкции и принципы работы микромеханических осевых и маятниковых акселерометров, датчиков давления и гироскопов LL-, LR- и RR-типов. Даны описание и расчет прямых (датчиков перемещений и деформаций) и обратных (датчиков сил и моментов) преобразователей в микромеханическом...
  • 8,48 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • описание отредактировано
Наверх