Зятьков И.И., Миронов В.А. и др. Расчет полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем

Учебное пособие. — Л.: ЛЭТИ. — 1989. — 75 с.Изложены принципы и порядок расчета различных полупроводниковых приборов и структур активных элементов интегральных микросхем, сформулированы правила оформления результатов расчета и конструирования полупроводниковых приборов и структур активных элементов интегральных микросхем, отмечены особенности расчета и конструирования конкретных полупроводниковых приборов.
Предназначено для студентов специальности 20.03.Обозначение основных величин.
Введение.
Расчет полупроводниковых диодов и диодных структур интегральных микросхем.
Расчет полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистора) с индуцированным каналом.
Расчет инвертора на комплементарных МДП-транзистораx.
Расчет полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистора) со встроенным каналом.
Расчёт полевого транзистора с барьером Шоттки под затвором.
Библиографический список.
Приложения.
Марки монокристаллического германия
Марки монокристаллического кремния.
Марки эпитаксиальных структур.
Марки монокристаллического арсенида галлия.