Зятьков И.И., Чиркин Л.К., Юрченко Е.П. Расчет МДП приборов

Учебное пособие. — Л.: ЛЭТИ, 1991. — 64 с.Изложены принцип и порядок расчета различных МДП-приборов и базовых элементов МДП интегральных микросхем. Рассмотрены конструкционно-технологические особенности конкретных МДП-приборов. Сформулированы правила оформления результатов расчета и конструирования МДП-лриборов и структур элементов интегральных микросхем на МДП-приборах.
Предназначено для студентов специальности 20.03.Введение.
Обозначения основных величин.
Расчет МДП-варикапа.
Расчет емкости диэлектрика.
Расчет емкости полупроводника.
Расчет вольт-фарадной характеристики.
Расчет добротности.
Расчет предельной частоты и рассеиваемой мощности.
Расчет мдп-транзистора с индуцированным каналом.
Выбор длины канала и диэлектрика под затвором МДП-транзистора.
Выбор удельного сопротивления исходной полупроводниковой пластины или поверхностной концентрации примесей в области кармана.
Расчет порогового напряжения.
Определение ширины канала.
Выбор топологии МДП-транзистора.
Расчет выходных статических характеристик МДП-транэистора.
Расчет малосигнальных параметров транзистора.
Расчет начального тока стока.
Собственное быстродействие МДП-транзистора.
особенности проектирования йодных транзисторов.
Расчет МДП-транзистора со встроенным каналом.
Общие сведения.
Выбор концентрации примесей в канале, толщины канала и расчет напряжения насыщения.
Выбор длины канала и диэлектрика под затвором МДП-транзистора со встроенным каналом.
Определение ширины канала.
Расчет выходных статических характеристик МДП-транзистора со встроенным каналом.
Частотные свойства.
Расчет инвертopa на комплементарных МДП-тразисторах.
Расчет ширины канала.
Расчет напряжений на выходе КМДП-инвертора, соответствующих логическому нулю и логической единице.
Мощность, потребляемая КМДП-инвертором.
Особенности конструкции и технологии КМДП-инверторов.
Библиографический список.