Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников

М.: Мир, 2002. — 376 с.Весь материал курса разбит на главы, тесно связанные друг с другом.
на основе теории химических связей излагаются основные закономерности образования полупроводников.
Рассмотрены структурные дефекты и их влияние на свойства материала.
Описание существующих фазовых диаграмм, которые позволяют выбрать оптимальные условия получения полупроводника заданного состава, а также элементы общей теории образования фаз.
Даны методы получения материалов полупроводниковой степени чистоты,
описаны основные технологические методы получения полупроводниковых монокристаллов из жидкой и газовой фаз, изложены общие принципы и методы легирования полупроводников, рассмотрены основные закономерности диффузии, широко используемой для создания заданного профиля распределения примесей в полупроводниковых структурах, описаны основные закономерности роста эпитаксиальных пленок и основные используемые в настоящее время методы эпитаксии — жидкостная и газовая эпитаксия, MOCVD, молекулярно-лучевая эпитаксия и др.Введение.
Некоторые свойства и основные группы полупроводников.
Основы теории химической связи и закономерности образования полупроводников.
Дефекты в полупроводниковых материалах.
Фазовые равновесия и элементы теории образования фаз.
Получение чистых полупроводниковых материалов.
Выращивание объемных кристаллов полупроводников.
Легирование полупроводниковых материалов.
Диффузия примесей в кристаллах.
Монокристаллические пленки.