Беляев А.Е., Конакова Р.В. (ред.) Карбид кремния: технология, свойства, применение

Харьков: ИСМА. 2010. — 532 с.Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по методам выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок SiC, а также карбидкремниевой керамики. Опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах авторы рассматривают дефектообразование в SiC, роль дислокаций в процессах деградации p-n переходов и диодов Шоттки. Значительное место в монографии уделено фрагментам технологии карбидкремниевых приборных структур: окислению SiC и формированию омических и барьерных контактов. Представлены данные о структуре и параметрах карбидкремниевых микроволновых диодов, а также рассмотрены различные области применения SiC и карбидкремниевой керамики.Предисловие.
Методы получения полупроводникового SIC.
Выращивание полупроводниковых монокристаллов методом сублимации.
Физико-химические основы метода сублимации.
Сопутствующие процессы, определяющие условия роста карбида кремния.
Образование дефектов в карбиде кремния при росте из паровой фазы.
Выращивание эпитаксиальных слоев и кристаллов методом парофазного химического осаждения.
Выращивание эпитаксиальных слоев и кристаллов из растворов—расплавов.
Методы нанесения тонких пленок SiC.
Параметры и свойства примесей и дефектов в карбиде кремния.
Методы получения и особенности применения керамики на основе SiC.
Термическое и фотонностимулированное окисление SIC.
Особенности формирования и термостабильность контактов металл - карбид кремния.
Барьерные контакты.
Омические контакты к SiC.
Микроволновые карбидкремниевые диоды.
Электрическая активность дислокаций в SIC p-n переходах и диодах Шоттки.
Литература.
Заключение.
Список использованных сокращений.