Учебное пособие. — Минск.: БГУ, 1999. — 92 с.
В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены классификация моделей и подходы к их синтезу. Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования элементов и фрагментов ИС.
Пособие предназначается для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим модели элементов ИС в своих исследованиях.
Основы моделирования элементов ИС.Основные задачи моделирования элементов ИС.
Общая классификация и подходы к синтезу моделей элементов ИС.
Класс диффузионно-дрейфовых моделей.
Моделирование биполярных элементов ИС.Упрощенные физико-топологические и электрические модели биполярных транзисторов одномерного приближения.
Численное моделирование биполярного транзистора.
Моделирование И
2Л-элемента,
Моделирование МДП-транзнсторов.Численноее МОП-структур.
Общие вопросы моделирования элементов ИС.
Модели диодов и пассивных элементов ИС. Паразитные элементы.
Общее определение и общие характеристики модели. Настройка модели.
Классификаций рассмотренных моделей элементов ИС.
Классификация программного обеспечения численного моделирования элементов И фрагментов интегральных схем и тенденции го-развития.
Организация процесса сквозного моделирования в многоуровневых системах.
Благодарности.
Литература.