Серии от ЦНИИ 'Электроника'

ЦНИИ "Электроника" - информационно-аналитический центр отечественной радиоэлектронной промышленности.Серия 1. Электроника СВЧ:
[1975] Выпуск 05 (0302). Методы планируемого эксперимента и их применение djvu;
[1986] Выпуск 11 (1200). Перспективные линии передачи КВЧ диапазона djvu;
[1989] Выпуск 07 (1451). Желобковый волновод. Часть 1. Общие сведения и методы теоретического анализа pdf;
[1989] Выпуск 10 (1454). Стабильные и высокостабильные полупроводниковые СВЧ-генераторы на диэлектрических резонаторах djvu;
[1989] Выпуск 11 (1465). Желобковый волновод. Часть 2. Элементы фидерного тракта djvu;
[1989] Выпуск 21 (1505). Многофункциональные генераторные СВЧ-устройства с использованием диэлектрических резонаторов djvu;
[1992] Выпуск 05 (1673). Термо- и вторично-электронные катоды для электровакуумных и газоразрядных приборов djvu;Серия 2. Полупроводниковые приборы:
[1975] Выпуск 01 (0045). Применение полевых транзисторов и гибридных интегральных схем на их основе в радиоэлектронной аппаратуре djvu;
[1980] Выпуск 06 (0739). Линейные оптоэлектронные развязывающие устройства djvu;
[1982] Выпуск 01 (0857). Алмазные теплоотводы в конструкции полупроводниковых приборов djvu;
[1984] Выпуск 08 (1051). Моделирование процессов осаждения диэлектрических слоев из газовой фазы при низком давлении djvu;
[1986] Выпуск 01 (1178). Тонкие пленки силицидов тугоплавких металлов. Часть 1 djvu;
[1986] Выпуск 07 (1242). Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Часть 1. Оборудование для осаждения слоев djvu;
[1987] Выпуск 04 (1290). Методы и средства измерения температуры в полупроводниковом производстве djvu;
[1988] Выпуск 02 (1332). Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Часть 2. Процессы осаждения и свойства тонких пленок djvu;
[1988] Выпуск 04 (1342). Природные алмазы в полупроводниковой электронике djvu;
[1989] Выпуск 01 (1424). Совершенствование чистых производственных помещений для изготовления полупроводниковых приборов djvu;
[1989] Выпуск 03 (1433). Особенности эпитаксии и свойства гетеропереходов типа С^IV/А^IIIВ^V djvu;
[1989] Выпуск 09 (1506). Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике djvu;Серия 3. Микроэлектроника:
[1974] Выпуск 04 (0261). Оксидное стекло в интегральной оптике pdf;
[1977] Выпуск 01 (0077). Микросхемы серий К519 и К527 в запоминающих устройствах вычислительной техники и автоматики djvu;
[1986] Выпуск 05 (1233). Плазмохимические методы синтеза диэлектрических слоев в полупроводниковой технологии djvu;
[1989] Выпуск 04 (1472). Гетероэпитаксия арсенида галлия на кремнии djvu;Серия 4. Электровакуумные и газоразрядные приборы:
[1972] Выпуск 02. Тематический номер, посвященный газоразрядным приборам djvu;
[1982] Выпуск 02 (0885). Вакуумные люминесцентные индикаторы djvu;Серия 5. Радиодетали и радиокомпоненты:
[1971] Выпуск 02 (0278). Подстроечные конденсаторы с твердым неорганическим диэлектриком djvu;
[1973] Выпуск 01 (0163). Подстроечные конденсаторы djvu;
[1981] Выпуск 04 (0837). Керметные толстопленочные резисторы djvu;Серия 6. Материалы:
[1975] Выпуск 02 (0309). Резистивные сплавы, проволоки и провода, применяемые в проволочных резисторах djvu;
[1982] Выпуск 08 (0911). Оптические свойства нитрида галлия. Часть 1 djvu;
[1984] Выпуск 05 (1041). Современное состояние исследований механизма роста эпитаксиальных слоёв кремния и соединений A^IIIB^V из газовой фазы. Часть 1. Элементарные процессы на поверхности монокристаллов, растущих из газовой фазы djvu;
[1984] Выпуск 09 (1055). Новые применения лучистой энергии в микроэлектронике. Часть 2. Кремниевые эпитаксиальные структуры djvu;
[1986] Выпуск 01 (1170). Получение, свойства и применение гидрогенизированного аморфного кремния djvu;
[1986] Выпуск 05 (1208). Эпитаксиальный рост тонких пленок силицидов djvu;
[1986] Выпуск 09 (1235). Новые применения лучистой энергии в микроэлектронике. Часть 3. Гетероэпитаксиальные структуры djvu;
[1988] Выпуск 01 (1336). Протонные процессы в оксидных слоях и пленках djvu;
[1989] Выпуск 06 (1487). Плазмохимическое и ионно-химическое травление полупроводниковых материалов типа A^IIIB^V djvu;
[1990] Выпуск 08 (1569). Рост, свойства и применение междендритных монокристаллических лент кремния djvu;
[1990] Выпуск 09 (1574). Механизмы роста, структура и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев арсенида индия, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии djvu;Серия 7. Технология, организация производства и оборудование:
[1979] Выпуск 08 (0659). Магнетронные распылительные устройства (магратроны) djvu;
[1980] Выпуск 02 (0702). Органические добавки для электрохимического нанесения олова и его сплавов djvu;
[1984] Выпуск 10 (1035). Тлеющий разряд в магнитном поле и магниторазрядные устройства вакуумного технологического оборудования pdf;
[1985] Выпуск 04 (1088). Аппаратура и методика осаждения слоев при пониженном давлении. Часть 2 djvu;
[1986] Выпуск 08 (1202). Релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Практическое применение) djvu;
[1988] Выпуск 04 (1338). Послойный анализ полупроводниковых материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии djvu;
[1988] Выпуск 14 (1402). Объемно-планировочные и конструктивные решения производственных зданий для размещения чистых комнат djvu;
[1988] Выпуск 16 (1418). Системы воздухоснабжения чистых помещений djvu;
[1989] Выпуск 05 (1435). Применение высокотемпературных тепловых труб в прецизионном термическом и ростовом оборудовании djvu;
[1989] Выпуск 08 (1455). Тенденции развития оборудования для газофазной эпитаксии кремния djvu;Серия 11. Лазерная техника и оптоэлектроника:
[1982] Выпуск 02 (0886). Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники;